TP65H015G5WS 650V 15mΩ 窒化ガリウム（GaN）FETは、ノーマリーオフのデバイスです。Transphorm GaN FETは、低ゲート電荷、高速スイッチング、低逆回復電荷による高効率を提供し、従来のシリコン（Si）デバイスに対し大きな優位性を示します。TP65H015G5WSは、業界標準の3リードTO-247で、コモンソースのパッケージ構成となっています。
| 主な仕様 |
| 最小ドレイン電圧：VDS (V) min |
650 |
| 最大ドレイン・ソース間過渡電圧：V(TR)DSS (V) max |
725 |
| 最大ドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(on)eff (mΩ) max* |
18 |
| 逆回復電荷量代表値：QRR (nC) typ |
430 |
| ゲートチャージ電荷量代表値：QG (nC) typ |
68 |
| *Reflects both static and dynamic on-resistance |
主な特長
- 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
- 導電損失およびスイッチング損失が低
- 430nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
- GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
- JEDECスタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
- RoHS適合でハロゲンフリー
主な利点
- より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
- 高速スイッチングによる効率の向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズおよび重量の低減
- BOMコストの縮小
AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications
DG001: LLC Resonant Tank Design for 3.3kW Electric Vehicle On-board Charger with Wide-range Output Voltage
DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files
DG007: 200 kHz Phase Shift Full Bridge for 3.3kW Electric Vehicle On-board Charger | DG007 Design Files
DG008: 100 kHz Dual Active Bridge for 3.3kW Bi-directional Battery Charger | DG008 Design Files
評価キット
Transphormは様々なトポロジーの評価キットを用意しています。
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