TransphormHighest Performance, Highest Reliability GaN

TP65H015G5WS  SuperGaN

650V 15mΩ カスコードGaN FET (SuperGaN™)、TO-247パッケージ

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TP65H015G5WS 650V 15mΩ 窒化ガリウム(GaN)FETは、ノーマリーオフのデバイスです。Transphorm GaN FETは、低ゲート電荷、高速スイッチング、低逆回復電荷による高効率を提供し、従来のシリコン(Si)デバイスに対し大きな優位性を示します。TP65H015G5WSは、業界標準の3リードTO-247で、コモンソースのパッケージ構成となっています。

主な仕様
最小ドレイン電圧:VDS (V) min 650
最大ドレイン・ソース間過渡電圧:V(TR)DSS (V) max 725
最大ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)eff (mΩ) max* 18
逆回復電荷量代表値:QRR (nC) typ 430
ゲートチャージ電荷量代表値:QG (nC) typ 68
*Reflects both static and dynamic on-resistance

主な特長

  • 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
  • 導電損失およびスイッチング損失が低
  • 430nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
  • GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
  • JEDECスタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
  • RoHS適合でハロゲンフリー

主な利点

  • より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
  • 高速スイッチングによる効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムのサイズおよび重量の低減
  • BOMコストの縮小

Output Power (W)

Output Power (W)

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