TransphormHighest Performance, Highest Reliability GaN

TP65H035G4WSQA  SuperGaN

650V 35mΩ AEC-Q101 Qualified SuperGaN® FET in TO-247

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The TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s GenIV platform. Using proprietary technology, resulting in reduced internal package inductance and a simplified assembly process. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage Silicon MOSFET to offer superior reliability and performance.

The device is also automotive qualified to 175C, having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors

Transphorm GaN offers improved efficiency over Silicon through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.

The TP65H035G4WSQA is offered in an industry-standard 3-lead TO-247 with a common source package configuration.

最小ドレイン電圧:VDSS (V) 650
最大ドレイン・ソース間過渡電圧:VDSS(TR) (V) 800
最大ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)eff (mΩ) max* 41
逆回復電荷量代表値:QRR (nC) typ 150
ゲートチャージ電荷量代表値:QG (nC) typ 22
*Reflects both static and dynamic on-resistance


  • 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
  • 導電損失およびスイッチング損失が低
  • 150nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
  • GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
  • AEC-Q101スタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
  • RoHS適合でハロゲンフリー


  • より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
  • 高速スイッチングによる効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムのサイズおよび重量の低減
  • BOMコストの縮小

Output Power (W)

Output Power (W)

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