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TP65H035G4WSQA 
650V 35mΩ AEC-Q101 Qualified SuperGaN® FET in TO-247
The TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device built using Transphorm’s GenIV platform. Using proprietary technology, resulting in reduced internal package inductance and a simplified assembly process. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage Silicon MOSFET to offer superior reliability and performance.
The device is also automotive qualified to 175C, having passed the Automotive Electronics Council’s AEC-Q101 stress tests for automotive-grade discrete semiconductors
Transphorm GaN offers improved efficiency over Silicon through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.
The TP65H035G4WSQA is offered in an industry-standard 3-lead TO-247 with a common source package configuration.
| 主な仕様 | |
|---|---|
| 最小ドレイン電圧：VDSS (V) | 650 |
| 最大ドレイン・ソース間過渡電圧：VDSS(TR) (V) | 800 |
| 最大ドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(on)eff (mΩ) max* | 41 |
| 逆回復電荷量代表値：QRR (nC) typ | 150 |
| ゲートチャージ電荷量代表値：QG (nC) typ | 22 |
| *Reflects both static and dynamic on-resistance | |
主な特長
- 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
- 導電損失およびスイッチング損失が低
- 150nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
- GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
- AEC-Q101スタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
- RoHS適合でハロゲンフリー
主な利点
- より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
- 高速スイッチングによる効率の向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズおよび重量の低減
- BOMコストの縮小
Output Power (W)
Output Power (W)
3D Files – TO-247
