Forget Your Password? Sign In.
TP65H050G4BS 
650V 50mΩ カスコードGaN FET (SuperGaN®)、TO-263 (D2-PAK)パッケージ
TP65H050G4BS 650V 50mΩ 窒化ガリウム（GaN）FETは、ノーマリーオフのデバイスです。Transphorm GaN FETは、低ゲート電荷、高速スイッチング、低逆回復電荷による高効率を提供し、従来のシリコン（Si）デバイスに対し大きな優位性を示します。TP65H050G4BSは、業界標準の3リードTO-263で、コモンソースのパッケージ構成となっています。
| 主な仕様 | |
|---|---|
| 最小ドレイン電圧：VDS (V) min | 650 |
| 最大ドレイン・ソース間過渡電圧：VDSS(TR) (V) max | 800 |
| 最大ドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(on)eff (mΩ) max* | 60 |
| 逆回復電荷量代表値：QRR (nC) typ | 112 |
| ゲートチャージ電荷量代表値：QG (nC) typ | 16 |
| *Reflects both static and dynamic on-resistance | |
主な特長
- 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
- 導電損失およびスイッチング損失が低
- 112nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
- GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
- JEDECスタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
- RoHS適合でハロゲンフリー
主な利点
- より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
- 高速スイッチングによる効率の向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズおよび重量の低減
- BOMコストの縮小
Output Power (W)
Output Power (W)
3D Files – TO-263 (D2-PAK)
