TransphormHighest Performance, Highest Reliability GaN

TP65H050WS

650V 50mΩ カスコードGaN FET、TO-247パッケージ

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TP65H050WS 650V 50mΩ 窒化ガリウム(GaN)FETは、ノーマリーオフのデバイスです。Transphorm GaN FETは、低ゲート電荷、高速スイッチング、低逆回復電荷による高効率を提供し、従来のシリコン(Si)デバイスに対し大きな優位性を示します。TP65H050WSは、業界標準の3リードTO-247で、コモンソースのパッケージ構成となっています。

主な仕様
最小ドレイン・ソース間電圧:VDS (V) min 650
最大ドレイン・ソース間過渡電圧:V(TR)DSS (V) max 800
最大ドレイン・ソース間オン抵抗:RDS(on)eff (mΩ) max* 60
逆回復電荷量:QRR (nC) typ 125
ゲートチャージ電荷量:QG (nC) typ 16
*Reflects both static and dynamic on-resistance

主な特長

  • 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
  • 導通損失およびスイッチング損失を低減
  • 125nCという低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
  • GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
  • JEDECスタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
  • RoHS適合でハロゲンフリー

主な利点

  • より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
  • 高速スイッチングによる効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムのサイズおよび重量の低減
  • BOMコストの縮小

Output Power (W)

Output Power (W)

アプリケーションノート

AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications

Design Guides

DG002: 2.3kW High-efficiency 2-phase CRM Boost Converter for Solar Inverters
DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files

評価キット

Transphormは様々なトポロジーの評価キットを用意しています。

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