TP65H070LDG 650V 72mΩ 窒化ガリウム（GaN）FETは、ノーマリーオフのデバイスです。Transphorm GaN FETは、低ゲート電荷、高速スイッチング、低逆回復電荷による高効率を提供し、従来のシリコン（Si）デバイスに対し大きな優位性を示します。TP65H070LDGは、業界標準の3リードPQFN88で、コモンソースのパッケージ構成となっています。
| 主な仕様 |
| 最小ドレイン・ソース間電圧：VDS (V) min |
650 |
| 最大ドレイン・ソース間過渡電圧：V(TR)DSS (V) max |
800 |
| 最大ドレイン・ソース間オン抵抗：RDS(on)eff (mΩ) max* |
85 |
| 逆回復電荷量：QRR (nC) typ |
90 |
| ゲートチャージ電荷量：QG (nC) typ |
10 |
| *Reflects both static and dynamic on-resistance |
主な特長
- 駆動が容易 — 標準ゲートドライバと適合性あり
- 導通損失およびスイッチング損失を低減
- 90nC という低Qrr値で、フリーホイールダイオードは不要
- GSDピンレイアウトによる高速デザイン性の向上
- JEDECスタンダードをクリアしたGaNテクノロジー
- RoHS適合でハロゲンフリー
主な利点
- より効率の良いトポロジーが実現可能 — ブリッジレスのトーテムポール型デザインの実装が容易
- 高速スイッチングによる効率の向上
- 電力密度の向上
- システムのサイズおよび重量の低減
- BOMコストの縮小
AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0007: PQFN88 Lead-free 2nd Level Soldering Recommendations for Vapor Phase Reflow
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications
AN0013: PQFN PCB Landing Pad Design
DG002: 2.3kW High-efficiency 2-phase CRM Boost Converter for Solar Inverters
DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files
DG006: 600W DC to DC LLC Design Using GaN FETs | DG006
DG009: 12V/1200W High Frequency LLC Converter Design using GaN FETs | DG009
DG010: Design Analysis of DC-DC Module 50V/40A | DG010
評価キット
Transphormは様々なトポロジーの評価キットを用意しています。
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