Transphorm最高性能, 最可靠的GaN

TP65H035WS

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET

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TPH3207WS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。TP65H035WS 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。

关键规格
VDS (V) 最小值 650
V(TR)DSS (V) 最大值 800
RDS(on)eff(mΩ)最大值* 41
QRR (nC) 典型值 170
QG (nC) 典型值 24
*Reflects both static and dynamic on-resistance

关键特性

  • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
  • 低传导、低开关损耗
  • 低 Qrr (170nC) – 无需任何续流二极管
  • GSD 引脚布局可提升高速设计
  • 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
  • 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素

关键益处

  • 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
  • 快速切换,提高效率
  • 提高功率密度
  • 系统尺寸减小、重量减轻
  • BOM 成本更低

Output Power (W)

Output Power (W)

应用说明

AN0002: Characteristics of Transphorm GaN Power FETs
AN0003: Printed Circuit Board Layout and Probing for GaN FETs
AN0004: Designing Hard-switched Bridges with GaN
AN0006: VGS Transient Tolerance of Transphorm GaN FETs
AN0008: Drain Voltage and Avalanche Ratings for GaN FETs
AN0009: Recommended External Circuitry for Transphorm GaN FETs
AN0010: GaN FETs in Parallel Using Drain Ferrite Beads and RC Snubbers for High-power Applications

Design Guides

DG004: Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification | DG004 DSP Code
DG005: Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping | DG005 Design Files
DG001: LLC Resonant Tank Design for 3.3kW Electric Vehicle On-board Charger with Wide-range Output Voltage

评价套件

Transphorm同时也提供一系列具有不同电路拓扑方案的氮化镓器件估板

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